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國(guó)產(chǎn)今年有望投產(chǎn)17nm DDR5內(nèi)存,獲強(qiáng)力資金支持產(chǎn)能技術(shù)雙升級(jí)

2022-02-21 13:48 TechWeb.com.cn

導(dǎo)讀:國(guó)內(nèi)內(nèi)存芯片廠(chǎng)商也一直在突破自身瓶頸,推動(dòng)相關(guān)技術(shù)的綜合升級(jí)。最新消息爆料,合肥長(zhǎng)鑫今年要投產(chǎn)17nm工藝的DDR5內(nèi)存芯片。

為了避免未來(lái)被國(guó)外“掐脖子”,國(guó)內(nèi)內(nèi)存芯片廠(chǎng)商也一直在突破自身瓶頸,推動(dòng)相關(guān)技術(shù)的綜合升級(jí)。最新消息爆料,合肥長(zhǎng)鑫今年要投產(chǎn)17nm工藝的DDR5內(nèi)存芯片。

根據(jù)相關(guān)資料消息顯示,合肥長(zhǎng)鑫已經(jīng)通過(guò)2020年、2021年兩年的努力,分別實(shí)現(xiàn)了4.5萬(wàn)片晶圓/月、6萬(wàn)片晶圓/月的目標(biāo),2022年的產(chǎn)能目標(biāo)是12萬(wàn)片晶圓/月,直接對(duì)比去年實(shí)現(xiàn)翻番。

國(guó)產(chǎn)今年有望投產(chǎn)17nm DDR5內(nèi)存,獲強(qiáng)力資金支持產(chǎn)能技術(shù)雙升級(jí)_副本

對(duì)于未來(lái)產(chǎn)能目標(biāo)長(zhǎng)鑫是30萬(wàn)片晶圓/月。產(chǎn)能擴(kuò)增是長(zhǎng)鑫努力的一個(gè)方面,它在內(nèi)存技術(shù)方面的水平也是奮起直追。當(dāng)下長(zhǎng)鑫量產(chǎn)的主要是第一代10nm級(jí)別工藝10G1,實(shí)際水平應(yīng)該是19nm,主要以DDR4、LPDDR4為主。

2020有報(bào)道稱(chēng)未來(lái)將研發(fā)17nm及以下工藝的DDR5、LPDDR5等內(nèi)存,這也是10G3代工藝,未來(lái)還有10G5工藝,除了DDR5、LPDDR5之外還有GDDR6顯存。

據(jù)悉,主攻內(nèi)存芯片的合肥長(zhǎng)鑫母公司睿力集成發(fā)生工商變更,阿里巴巴(中國(guó))網(wǎng)絡(luò)技術(shù)有限公司、中國(guó)東方資產(chǎn)管理股份有限公司等19位股東為新增股東。

自本次變更完成后,睿力集成的注冊(cè)資本增加至485.8億元人民幣。有了更多資金之后,相信像合肥長(zhǎng)鑫等國(guó)產(chǎn)內(nèi)存廠(chǎng)商在2022年會(huì)繼續(xù)多方面提速,加速產(chǎn)能和技術(shù)的多方升級(jí)。