據(jù)報(bào)道，韓國(guó)三星電子在2021年對(duì)晶片工廠和設(shè)備的投資額超過(guò)臺(tái)積電和英特爾等任何競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

　　三星電子周三（9日）表示，投入43.6兆韓圜（約合人民幣2320億元）用于升級(jí)和擴(kuò)建在韓國(guó)和中國(guó)的芯片工廠，這些工廠生產(chǎn)先進(jìn)的DRAM芯片和垂直NAND快閃芯片，資金還用于擴(kuò)建韓國(guó)代工廠的先進(jìn)5納米生產(chǎn)線。

　　43.6兆韓元的投資約占三星電子去年芯片銷(xiāo)售收入的46.3%，去年，該公司公布的芯片銷(xiāo)售額達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的94.1兆韓圓，3年來(lái)首次超越英特爾成為全球芯片銷(xiāo)售額第一名。

　　英特爾斥資5127億元、臺(tái)積電8226億元

　　英特爾去年的芯片銷(xiāo)售額為731億美元，但僅再投資187億美元，這是讓三星電子位居第一的主要原因。與此同時(shí)，全球代工龍頭臺(tái)積電為晶片工廠和設(shè)備投資了300億美元，約占其去年568億美元芯片總銷(xiāo)售額的52.9%。

　　根據(jù)研究公司Gartner的數(shù)據(jù)，去年3大芯片廠商占全球晶片基礎(chǔ)設(shè)施投資總額的60%，價(jià)值1460億美元。預(yù)計(jì)未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)只會(huì)加劇，因?yàn)槊绹?guó)今年計(jì)劃通過(guò)一項(xiàng)法案，吸引芯片工廠投資，以換取大量稅收抵免。

　　為解決芯片的供應(yīng)鏈問(wèn)題，美國(guó)國(guó)會(huì)正在制定《美國(guó)芯片法案》，該法案提供可退還的稅收抵免，最高抵減金額可達(dá)建造工廠或購(gòu)買(mǎi)芯片制造設(shè)備成本的40%。

　　臺(tái)積電正在亞利桑那州建造一座價(jià)值120億美元的新工廠，而英特爾正在該州建造兩家工廠，總價(jià)值220億美元。三星電子正在德克薩斯州建造一座價(jià)值170億美元（新臺(tái)幣4661億元）的代工廠。

　　SEMI：半導(dǎo)體設(shè)備年銷(xiāo)售總額破千億美元，同比大增44.7%

　　根據(jù) SEMI 的年終半導(dǎo)體設(shè)備總量預(yù)測(cè)，原始設(shè)備制造商的全球半導(dǎo)體制造設(shè)備總銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)將在 2021 年達(dá)到 1030 億美元的新高，比 2020 年的行業(yè)紀(jì)錄 710 億美元猛增 44.7%

　　隨著全球晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)，半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)總量到 2022 年將擴(kuò)大到 1140 億美元，預(yù)計(jì)這一增長(zhǎng)將繼續(xù)。

　　SEMI 總裁兼首席執(zhí)行官 Ajit Manocha 表示：“半導(dǎo)體制造設(shè)備總銷(xiāo)售額突破 1000 億美元大關(guān)反映了全球半導(dǎo)體行業(yè)為擴(kuò)大產(chǎn)能以滿足強(qiáng)勁需求的一致和非凡的動(dòng)力。” “我們預(yù)計(jì)，對(duì)數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)和多個(gè)終端市場(chǎng)的長(zhǎng)期趨勢(shì)的持續(xù)投資將推動(dòng) 2022 年的健康增長(zhǎng)。”

　　據(jù)介紹，代工和邏輯部門(mén)占晶圓廠設(shè)備總銷(xiāo)售額的一半以上，在對(duì)前沿和成熟節(jié)點(diǎn)的需求推動(dòng)下，2021 年將同比增長(zhǎng) 50%，達(dá)到 493 億美元。預(yù)計(jì) 2022 年增長(zhǎng)勢(shì)頭將繼續(xù)，代工和邏輯設(shè)備投資增長(zhǎng) 17%。前端（晶圓廠）和后端（組裝/封裝和測(cè)試）半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域都在為全球擴(kuò)張做出貢獻(xiàn)。晶圓廠設(shè)備部門(mén)，包括晶圓加工、晶圓廠設(shè)施和掩模/掩模版設(shè)備，預(yù)計(jì)到 2021 年將增長(zhǎng) 43.8%，達(dá)到 880 億美元的新行業(yè)記錄，2022 年將增長(zhǎng) 12.4%，達(dá)到約 990 億美元。預(yù)計(jì)2023年晶圓廠設(shè)備將小幅下降-0.5%至984億美元。

　　SEMI表示，企業(yè)和消費(fèi)者對(duì)內(nèi)存和存儲(chǔ)的強(qiáng)勁需求推動(dòng)了 DRAM 和 NAND 設(shè)備支出的增長(zhǎng)。

　　他們指出，DRAM 設(shè)備部門(mén)在 2021 年的擴(kuò)張中處于領(lǐng)先地位，將飆升 52% 至 151 億美元，并在 2022 年增長(zhǎng) 1% 至 153 億美元。預(yù)計(jì) 2021 年 NAND 設(shè)備市場(chǎng)將增長(zhǎng) 24% 至 192 億美元，2022 年將增長(zhǎng) 8% 至 206 億美元。預(yù)計(jì) 2023 年 DRAM 和 NAND 的支出將分別下降 -2% 和 -3%。

　　在 2020 年實(shí)現(xiàn) 33.8% 的強(qiáng)勁增長(zhǎng)之后，組裝和封裝設(shè)備細(xì)分市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在 2021 年飆升 81.7% 至 70 億美元，隨后在先進(jìn)封裝應(yīng)用的推動(dòng)下，2022 年將再增長(zhǎng) 4.4%。半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在 2021 年增長(zhǎng) 29.6% 至 78 億美元，并在 2022 年繼續(xù)增長(zhǎng) 4.9%，以滿足對(duì) 5G 和高性能計(jì)算 (HPC) 應(yīng)用的需求。

　　從地區(qū)來(lái)看，中國(guó)大陸、韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣預(yù)計(jì)仍將是 2021 年設(shè)備支出的前三大目的地。中國(guó)大陸預(yù)計(jì)將在 2020 年首次保持領(lǐng)先地位，而中國(guó)臺(tái)灣有望重新獲得第一。所有跟蹤地區(qū)的設(shè)備支出預(yù)計(jì)將在 2021 年和 2022 年增長(zhǎng)。

　　以下結(jié)果反映了按細(xì)分市場(chǎng)和應(yīng)用分列的市場(chǎng)規(guī)模（以十億美元計(jì)）。