導讀：新思科技近日宣布，在雙方的長期合作中，三星晶圓廠已經通過新思科技數字和定制設計工具和流程實現了多次成功的測試流片，從而更好地推動三星的3納米全環(huán)繞柵極（GAA）技術被采用于對功耗、性能和面積（PPA）要求極高的應用中。與三星SF5E工藝相比，采用三星晶圓廠SF3技術的共同客戶將實現功耗降低約50%，性能提高約30%，面積縮小30%左右。（全球TMT）
新思科技近日宣布，在雙方的長期合作中，三星晶圓廠已經通過新思科技數字和定制設計工具和流程實現了多次成功的測試流片，從而更好地推動三星的3納米全環(huán)繞柵極（GAA）技術被采用于對功耗、性能和面積（PPA）要求極高的應用中。與三星SF5E工藝相比，采用三星晶圓廠SF3技術的共同客戶將實現功耗降低約50%，性能提高約30%，面積縮小30%左右。（全球TMT）
