蔚山國立科學(xué)技術(shù)學(xué)院教授李俊熙 

據(jù)韓國先驅(qū)報（The Korea Herald）報道，韓國技術(shù)信息部當(dāng)?shù)貢r間周四宣布該國的一個研究小組發(fā)現(xiàn)了一種將存儲芯片的存儲容量提高1000倍的方法，同時提高了利用0.5納米工藝技術(shù)的可能性。

蔚山國立科學(xué)技術(shù)學(xué)院（Ulsan National Institute of Science and Technology，UNIST）能源與化學(xué)工程教授李準(zhǔn)熙及其團(tuán)隊已將這一發(fā)現(xiàn)發(fā)表在國際學(xué)術(shù)期刊《科學(xué)》上，并引起了同行及半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)注。

UNIST團(tuán)隊由三星科學(xué)技術(shù)基金會資助，該團(tuán)隊的最新發(fā)現(xiàn)，將能使芯片制造商利用一種新的物理現(xiàn)象來制造更小的芯片，或者將數(shù)據(jù)存儲容量擴(kuò)展1000倍。

據(jù)報道，李準(zhǔn)熙教授帶領(lǐng)的UNIST團(tuán)隊的研究發(fā)現(xiàn)了一種可以控制半導(dǎo)體材料中的單個原子，并進(jìn)一步增加微芯片存儲量以及突破芯片域尺寸極限的方法。（注：域是指成千上萬個原子一起移動以存儲二進(jìn)制數(shù)或信號形式的數(shù)據(jù)的組。由于該領(lǐng)域的特性，很難在保持存儲容量的同時將存儲芯片的制造工藝技術(shù)從當(dāng)前的10nm級進(jìn)一步縮小。）

UNIST團(tuán)隊發(fā)現(xiàn)，通過將一滴電荷加到一種名為鐵電氧化ha（ferroelectric hafnium oxide，或HfO2）的半導(dǎo)體材料中，就可以控制四個單獨的原子來存儲1位數(shù)據(jù)（1 bit of data）。這就意味著，如果合理，可以實現(xiàn)一個閃存模組中每平方厘米可以存儲500 TB的數(shù)據(jù)量，師當(dāng)前閃存芯片的1,000倍。