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英特爾“退位”臺積電“繼任”?3D封裝仍是巨大挑戰(zhàn)

2020-08-11 14:04 與非網(wǎng)
關(guān)鍵詞:英特爾臺積電芯片

導(dǎo)讀:制造工藝明顯出現(xiàn)了問題的英特爾,不得不“求助”于像臺積電這樣的芯片制造代工廠。

1996 年,在英特爾任期最后一年仍強勢主導(dǎo)建立晶圓制造廠的傳奇 CEO 格魯夫,可能無論如何都想不到,25 年后,英特爾在芯片制造上不僅出現(xiàn)了重大失誤,還將一部分制造業(yè)務(wù)外包了出去。

按照英特爾內(nèi)部一開始的規(guī)劃,7nm 芯片應(yīng)該在 2021 年推出。但現(xiàn)在,你要在 2022 年底或 2023 年初才能看到這枚芯片。對比之下,他在 PC 市場的老對手 AMD 早在 2019 年就宣布,由臺積電代工的 Zen 架構(gòu)第四代 5nm 處理器將會在 2021 年推出。

因此,制造工藝明顯出現(xiàn)了問題的英特爾,不得不“求助”于像臺積電這樣的芯片制造代工廠。

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相反,臺積電 5nm 下半年將強勁成長,3nm 預(yù)計 2022 年量產(chǎn),并已研發(fā) 2nm,工研院產(chǎn)科國際所研究總監(jiān)楊瑞臨認為,臺積電制程 5 年內(nèi)將稱霸晶圓代工業(yè),3D 封裝是新挑戰(zhàn)。

在半導(dǎo)體行業(yè),技術(shù)門檻,某種程度上決定著收入門檻,制造工藝更是如此。歷史上,制程工藝升級的每一個重要技術(shù)節(jié)點,都伴隨著大量企業(yè)拔地而起,也會有大量企業(yè)就此消亡。就連臺積電在走到 0.15 微米制程節(jié)點,因沒有及時掌握銅布線技術(shù),導(dǎo)致大量訂單被搶,遭受過外界自成立以來的最大質(zhì)疑。

臺積電繼 7nm 制程于 2018 年領(lǐng)先量產(chǎn),并在強效版 7nm 制程搶先導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù),5nm 制程在今年持續(xù)領(lǐng)先量產(chǎn),下半年將強勁成長,貢獻全年約 8%業(yè)績。臺積電 3nm 制程技術(shù)開發(fā)順利,將沿用鰭式場效電晶體(FinFET)技術(shù),預(yù)計 2022 年下半年量產(chǎn),臺積電有信心 3nm 制程屆時仍將是半導(dǎo)體業(yè)界最先進的技術(shù)。

為確保制程技術(shù)持續(xù)領(lǐng)先,臺積電 2019 年已領(lǐng)先半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研發(fā) 2nm 制程技術(shù),臺積電目前尚未宣布量產(chǎn)時間,不過,依臺積電每 2 年推進一個世代制程技術(shù)推算,2nm 可望于 2024 年量產(chǎn)。

楊瑞臨分析,盡管臺積電 2nm 制程將自過去的 FinFET 技術(shù),改采環(huán)繞閘極(GAA)技術(shù),臺積電 2nm 制程仍可望維持領(lǐng)先地位,以目前情況看來,臺積電制程技術(shù)將再稱霸晶圓代工業(yè)至少 5 年。

只是制程微縮技術(shù)即將面臨物理瓶頸,且價格成本越來越高,楊瑞臨說,3D 堆疊先進封裝技術(shù)將更趨重要,相關(guān)設(shè)備與材料問題都有待解決,這也是臺積電的新挑戰(zhàn)。

楊瑞臨表示,臺積電在先進封裝領(lǐng)域著墨多時,自 2016 年推出 InFO 封裝技術(shù)后,至 2019 年已發(fā)展至第 5 代整合型扇出層疊封裝技術(shù)(InFO-PoP)及第 2 代整合型扇出暨基板封裝技術(shù)(InFO_oS),并開發(fā)第 5 代 CoWoS。

此外,今年 7 月份,他們的營收為 1059.63 億新臺幣,折合約 36.06 億美元。他們在 6 月份的營收為 1208.78 億新臺幣,7 月份的營收較之是減少了 149.15 億新臺幣,環(huán)比下滑 12.3%。