技術(shù)
導(dǎo)讀:臺(tái)積電將于2024年4月開始在新竹科技園的2nm晶圓廠安裝設(shè)備。
根據(jù)新竹科技園負(fù)責(zé)人發(fā)表的一份聲明,臺(tái)積電將于2024年4月開始在新竹科技園的2nm晶圓廠安裝設(shè)備。據(jù)報(bào)道稱,雖然只是象征意義,但設(shè)備的搬入是晶圓廠建設(shè)的一個(gè)重要里程碑,因?yàn)檠b備一個(gè)晶圓廠通常需要一年的時(shí)間。對于臺(tái)積電的N2工藝而言,其需要多臺(tái)ASML的TwinscanNXE極紫外(EUV)光刻機(jī),這些工具將由臺(tái)積電和ASML安裝,然后由前者進(jìn)行驗(yàn)證,這更需要時(shí)間。
此前,業(yè)界消息指出,新竹寶山2nm晶圓廠初期月產(chǎn)能約3萬片,高雄2nm晶圓廠將導(dǎo)入采用背面供電技術(shù)的N2P(2nm加強(qiáng)版)制程,初期月產(chǎn)能也是約3萬片。
臺(tái)積電曾在法說會(huì)上透露,臺(tái)積電在N2研發(fā)出背面配電線路(backside power rail)解決方案,此設(shè)計(jì)最適于高性能計(jì)算(HPC)相關(guān)應(yīng)用。在基線技術(shù)之上,背面線路將使速度提升10%至12%,邏輯密度提升10%至15%。臺(tái)積電目標(biāo)是在2025年下半年向客戶推出背面配電線路,并于2026年量產(chǎn)。